sfh 4200 sfh 4205 schnelle gaas-ir-lumineszenzdiode (950 nm) high-speed gaas infrared emitter (950 nm) sfh 4200 sfh 4205 2000-01-01 1 opto semiconductors wesentliche merkmale ? gaas-led mit sehr hohem wirkungsgrad ? gleichstrom- (mit modulation) oder impulsbetrieb m?glich ? hohe zuverl?ssigkeit ? hohe impulsbelastbarkeit ? sehr kurze schaltzeiten (10 ns) ? fr oberfl?chenmontage geeignet ? gegurtet lieferbar ? sfh 4200 geh?usegleich mit sfh 320 sfh 4205 geh?usegleich mit sfh 325 ? sfh 4205: nur fr ir-reflow-l?tung geeignet. anwendungen ? schnelle datenbertragung mit bertragungsraten bis 100 mbaud (ir tastatur, joystick, multimedia) ? analoge und digitale hi-fi audio- und videosignalbertragung ? batteriebetriebene ger?te (geringe stromaufnahme) ? anwendungen mit hohen zuverl?ssigkeitsansprchen bzw. erh?hten anforderungen ? alarm- und sicherungssysteme ? ir freiraumbertragung features ? very highly efficient gaas-led ? dc (with modulation) or pulsed operations are possible ? high reliability ? high pulse handling capability ? very short switching times (10 ns) ? suitable for surface mounting (smt) ? available on tape and reel ? sfh 4200 same package as sfh 320 sfh 4205 same package as sfh 325 ? sfh 4205: suitable only for ir-reflow soldering. applications ? high data transmission rate up to 100 mbaud (ir keyboard, joystick, multimedia) ? analog and digital hi-fi audio and video signal transmission ? low power consumption (battery) equipment ? suitable for professional and high-reliability applications ? alarm and safety equipment ? ir free air transmission
2000-01-01 2 opto semiconductors sfh 4200, sfh 4205 typ type bestellnummer ordering code geh?use package sfh 4200 sfh 4205 q62702-p978 q62702-p5165 kathodenkennzeichnung: abgesetzte ecke cathode marking: bevelled edge topled sideled grenzwerte ( t a = 25 c) maximum ratings bezeichnung parameter symbol symbol wert value einheit unit betriebs- und lagertemperatur operating and storage temperature range t op ; t stg C 40 ? + 100 c sperrspannung reverse voltage v r 3v durchla?strom forward current i f (dc) 100 ma sto?strom, t p = 10 m s, d = 0 surge current i fsm 1a verlustleistung power dissipation p tot 180 mw w?rmewiderstand sperrschicht - umgebung bei montage auf fr4 platine, padgr??e je 16 mm 2 thermal resistance junction - ambient mounted on pc-board (fr4), padsize 16 mm 2 each w?rmewiderstand sperrschicht - l?tstelle bei montage auf metall-block thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block r thja r thjs 450 200 k/w k/w
sfh 4200, sfh 4205 2000-01-01 3 opto semiconductors kennwerte ( t a = 25 c) characteristics bezeichnung parameter symbol symbol wert value einheit unit wellenl?nge der strahlung wavelength at peak emission i f = 100 ma, t p = 20 ms l peak 950 nm spektrale bandbreite bei 50% von i max spectral bandwidth at 50% of i max i f = 100 ma, t p = 20 ms dl 40 nm abstrahlwinkel half angle j 60 grad deg. aktive chipfl?che active chip area a 0.09 mm 2 abmessungen der aktiven chipfl?che dimensions of the active chip area l b l w 0.3 0.3 mm schaltzeiten, i e von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei i f = 100 ma, t p = 20 ms, r l = 50 w switching times, i e from 10% to 90% and from 90% to10%, i f = 100 ma, t p = 20 ms, r l = 50 w t r , t f 10 ns durchla?spannung, forward voltage i f = 100 ma, t p = 20 ms i f = 1 a, t p = 100 m s v f v f 1.5 ( 1.8) 3.2 ( 3.6) v v sperrstrom, reverse current v r = 3 v i r 0.01 ( 10) m a gesamtstrahlungsflu?, total radiant flux i f = 100 ma, t p = 20 ms f e 28 mw temperaturkoeffizient von i e bzw. f e , i f = 100 ma temperature coefficient of i e or f e , i f = 100 ma tc i C 0.44 %/k temperaturkoeffizient von v f , i f = 100 ma temperature coefficient of v f , i f = 100 ma tc v C 1.5 mv/k temperaturkoeffizient von l , i f = 100 ma temperature coefficient of l , i f = 100 ma tc l + 0.2 nm/k
2000-01-01 4 opto semiconductors sfh 4200, sfh 4205 strahlst?rke i e in achsrichtung gemessen bei einem raumwinkel w = 0.01 sr radiant intensity i e in axial direction at a solid angle of w = 0.01 sr bezeichnung parameter symbol werte values einheit unit strahlst?rke radiant intensity i f = 100 ma, t p = 20 ms i e min. i e typ. 4 8.5 mw/sr mw/sr strahlst?rke radiant intensity i f = 1 a, t p = 100 m s i e typ. 55 mw/sr
sfh 4200, sfh 4205 2000-01-01 5 opto semiconductors relative spectral emission i rel = f ( l ) max. permissible forward current i f = f ( t a ), r thja 1) 1) thermal resistance junction - ambient mounted on pc-board (fr4), pad size 16 mm 2 (each). ohf00777 nm 800 i rel l 0 850 900 950 1000 1100 20 40 60 80 100 ohf00359 0 f i 0 20 40 60 80 100 120 20 40 60 80 100 120 ma ?c t a r thja = 450 k/w radiant intensity single pulse, t p = 20 m s radiation characteristics i rel = f ( j ) i e i e 100 ma = f ( i f ) e e (100 ma) ma ohf00809 f i i i 10 4 0 10 10 1 10 23 10 10 -3 10 -2 10 10 -1 0 10 2 0 0.2 0.4 1.0 0.8 0.6 j 1.0 0.8 0.6 0.4 0? 10? 20? 40? 30? ohl01660 50? 60? 70? 80? 90? 100? 0? 20? 40? 60? 80? 100? 120? forward current i f = f ( v f ) single pulse, t p = 20 m s ohf00784 10 -3 v ma 0 i f v f 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4.5 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4
2000-01-01 6 opto semiconductors sfh 4200, sfh 4205 ma?zeichnung package outlines ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben / dimensions in mm, unless otherwise specified. sfh 4200 gpl06724 (typ) 0.7 0.9 1.7 2.1 0.12 0.18 0.5 1.1 3.3 3.7 0.4 0.6 2.6 3.0 2.1 2.3 cathode marking 3.0 3.4 (2.4) 0.1 4?1 sfh 4205 gpl06880 1.1 0.9 2.54 spacing (2.4) 2.8 2.4 4.2 3.8 (2.85) 0.7 4.2 3.8 (2.9) 3.8 3.4 (r1) cathode marking cathode anode (1.4) (0.3)
sfh 4200, sfh 4205 2000-01-01 7 opto semiconductors zus?tzliche informationen ber allgemeine l?tbedingungen erhalten sie auf anfrage. for additional information on general soldering conditions please contact us. l?thinweise soldering conditions bauform types tauch-, schwall- und schleppl?tung dip, wave and drag soldering reflowl?tung reflow soldering l?tbadtemperatur temperature of the soldering bath maximal zul?ssige l?tzeit max. perm. soldering time l?tzonen- temperatur temperature of soldering zone maximale durchlaufzeit max. transit time topled sideled 260 c C 10 s C 245 c 245 c 10 s 10 s
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